Форм-фактор: M.2; Объем гб: 512 Гб; Тип памяти NAND: 3D TLC-NAND; Максимальная скорость чтения: 500 МБ/с; Максимальная скорость записи: 450 МБ/с; Ударостойкость при хранении: 1500 G; Время наработки н
Контроллер: Silicon Motion SM2269XT; Форм-фактор: M.2; Объем гб: 512 Гб; Тип памяти NAND: 3D TLC; Поддержка NVMe: есть; Максимальная скорость чтения: 5200 МБ/с; Максимальная скорость записи: 3900 МБ/с
Форм-фактор: M.2; Объем гб: 2000 Гб; Максимальный ресурс записи (TBW): 1200; Тип памяти NAND: 3D NAND; Максимальная скорость чтения: 2400 МБ/с; Максимальная скорость записи: 1800 МБ/с; Поддержка NVMe:
Форм-фактор: 2.5"; Объем гб: 120 Гб; Интерфейс: SATA III; Тип памяти NAND: 3D TLC; Скорость чтения: 509 МБ/с; Скорость записи: 518 МБ/с; Ресурс TBW: 70 ТБ; Время наработки на отказ: 1600000 ч;
Тип памяти NAND: 3D TLC; Форм-фактор: M.2; Объем гб: 4096 ГБ; Максимальная скорость чтения: 7400 МБ/с; Максимальная скорость записи: 6400 МБ/с; Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 980000; Скоро
Форм-фактор: 2.5"; Объем гб: 1000 Гб; Интерфейс: SATA-III; Тип памяти NAND: 3D NAND; Скорость чтения: 530 Мб/с; Скорость записи: 450 Мб/с; Ресурс TBW: 560;
Форм-фактор: 2.5"; Объем гб: 256 Гб; Интерфейс: SATA-III; Тип памяти NAND: 3D NAND; Скорость чтения: 500 Мб/с; Скорость записи: 420 Мб/с; Ресурс TBW: 140;
Форм-фактор: 2.5"; Объем гб: 512 Гб; Интерфейс: SATA-III; Тип памяти NAND: 3D NAND; Скорость чтения: 500 Мб/с; Скорость записи: 420 Мб/с; Ресурс TBW: 140;
Форм-фактор: 2.5"; Объем гб: 480 Гб; Интерфейс: SATA-III; Тип памяти NAND: 3D NAND; Скорость чтения: 500 Мб/с; Скорость записи: 420 Мб/с; Ресурс TBW: 180;
Тип памяти NAND: 3D; Форм-фактор: M.2; Объем гб: 512 Гб; Максимальная скорость чтения: 2000 МБ/с; Максимальная скорость записи: 1600 МБ/с; Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 240000; Скорость п